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公司名称Q吉林九(ji)游老哥J9׃部官|矿山机械有限责d?/span>
联系人：(x)吴冰
联系方式Q?/span>13944253180
联系邮箱Q?/span>YL3180@163.COM
公司地址Q吉林市(jng)吉长南线98?/span>
摩根大通：(x)2024qHBM TCB键合机市(jng)?61亿美?
业内阐发指出Q新川设备的q年来已不及(qing)合作敌手产物Q加之三星正通过SEMES推进TCB键合机的自研内化Q强化其盈利能力。正在SEMES讑֤手艺E度提拔的布景下Q三星{而利用自家设备而非新川产物Q此外，q也意味着SK力士和光所采用的韩半g讑֤来被三星引入的可能性也变得更低?/p>
韩媒指出Q自 2017 q以来，韩美半导体一曲取 SK 力士合做开辟用?HBM 制制?TC 键合机，跟着SK力士现实上成ؓ(f)׃达AI芯片HBM的独家供应商Q韩半g也mZ(jin)其正在HBM TC键合机市(jng)场的CQ其正在客岁的停业利润增加了(jin)639%Q达?554争K元?/p>
一位半g行业人士暗示Q?ldquo;因ؓ(f)HBM4取前几代产物分歧Q遍?qing)?f)定制开辟，因而部门客h可能优先采用通用性更强的HBM3E?rdquo;他I补道Q?ldquo;跟着如DeepSeek{低成本AI模子的兴PҎ(gu)价钱高贵的HBM4QHBM3E产物U可能会(x)l持更长的硬仉求周期?rdquo;?/p>
韩国业内人士暗示Q?ldquo;韩美半导体目前已其TCB键合Z货至光{多个客Ph复杂的客h本，其他厂商要正在短期内逃逐ƈ不容易?rdquo;摩根大通（JP MorganQ比来发布的演讲也指出，来臛_三年内韩半g仍将从导该细分市(jng)场?/p>
除此之外QTCB {应的接触密度比倒拆芯片更高Q正在某些环境下每^Ҏ(gu)c_辑ֈ 10Q?00 个接触点Q但更高_ֺ的次要错误谬误是吞吐量较低。虽然倒拆芯片机每时能够辑ֈ跨越 10Q?00 个芯片的吞吐量，?TCB 的吞吐量则正?1Q?00-3Q?00 个芯片的范畴内?/p>
而ASMPT的等d方式产量较高Q不需要额外的清洗坐。氧化层的去除和热压接合不克不及(qing)同时q行。正在这U方式中Q物理离子蘪ȝ球概况，先去除氧化层Q然后再q行热压接合Q两个步调之间有再次氧化的风险，此外Q分歧的芯片需要调整分歧的{离子配方，使工艺愈加复杂。那么三大HBM巨头之一的三星正在TCB键合Z又是若何抉择的呢Q?/p>
跟着HBM堆叠层数dQ制E难度也同步上升Q绑定设备的主要性随之提拔。例如正在HBM3E 12层中Q因片Die变得更薄Qؓ(f)防止弯曲Q再q行回流焊接QSK力士将此工艺称为hMRQheated Mass ReflowQ?/p>
三星?sh)子取美光目前所采用的TC-NCF体例Q是正在芯片之间夹入l缘薄膜Q再通过热压使薄膜熔化ƈ实现_接。这U工然布局单、便于厚度节Ӟ但正在散热机能方面存正在劣势。新川曾持久向这两家公司供给该类讑֤?/p>
韩华SemiTech遭到高度兛_(j)的缘由，正在于其背后有韩华集团的强力支持。集团会(x)镉K升渊的三?mdash;—金东善副CN目前担Q集团来计谋Q其曑օ开暗示l正在该范畴投资Q以强化韩华SemiTech的合作力?/p>
证券公司里昂证券QCLSAQ预，“虽然韩美半导?4%的TC键合机发卖额来自SK力士，但通过客户多元化，?027q_(d)该公司将把对SK力士的依赖度降低到40%”Qƈ弥补道，“目前看来Q该公司很可能将正在HBM TCB键合机市(jng)l较高的?jng)场份额?rdquo;?/p>
同ؓ(f)韩国企业的韩华SemiTech原名“韩华l密机械”Q正在客岁完成改名，正式立?jin)其做?f)半导体公用设备厂商的?jng)场定位。而早正在2020q_(d)韩华SemiTech已启动HBM用TCB键合机的研发Qƈ成功取SK力士签定了(jin)供货合同?/p>
然而，正在这股v潮背后，名ؓ(f)“TCBQThermal Compression BondingQ键合机”的设备，正正在?zhn)?zhn)决定HBM财铄上限Q非论是SK力士，仍是光三星Q都正在q去一q时间里加大?jin)设备方面的投入Q也让更多设备厂商无Z(x)吃上qLAI盈利?/p>
排名W六的Oros Technology客岁营收?14争K元，停业利润61争K元。虽然体量相对较?yu)，但其焊盘W盖讑֤正在HBM后段制程中具备不成替代性，目前由其独家供应。客岁中Q该公司成功q入日本铠侠的供应链Qƈ{下取三星电(sh)子h(hun)?6争K元的合同Q客户布局逐渐多元化?/p>
另一斚wQ曾被传取三星合做的韩半gQ向三星供应TCB键合机的可能性也q一步降低。业内传aUͼ韩美半导体已被解除正在三星的TCB键合Z应名单之外。因为韩曾取SEMES发生专利诉讼Q若两家公司同时向三星供货，可能?x)因手艺泄露风险D合做虑。因而，韩美半导体估计将l箋聚焦于向光取SK力士供货?/p>
据?zhn)QSK力士赐与韩华SemiTech讑֤高评L(fng)~由Q恰是其正在从动化系l和便当性方面的表示。韩华SemiTech斚w暗示Q?ldquo;此次供货的TCB键合Z‘削减人工操做’为方针，搭蝲?jin)多U数字化处理Ҏ(gu)取从动化pȝQƈ采用?jin)更适合工程师利用的软g?rdquo;他们弥补道：(x)“讑֤可以或许L支撑8层?2层甚?6层堆叠，最大限度地反映?jin)SK力士工E师的需求。我们正集中全公司力量，力争扩大本年的供货量?/p>
不外无论是哪一U工艺，最l城?jng)需要用到TCB键合c设备，跟着HBM的出产规模不竭扩大，TCB键合机市(jng)Z正在水涨舚w。据摩根大通预，HBM ?TCB键合机的全体?jng)场规模?2024 q的 4?1 亿美元增加至 2027 q的 15 亿美元（U?2?6 万亿韩元Q，增加两倍以上?/p>
据韩媒报道，SK力士正在其最先辈的HBM3E的手艺开辟中Q很可能引入新加坡ASMPT的设备。因为HBM是通过堆叠多层DRAM芯片实现拆的，跟着层数dQ其良率变得不不变，据传ASMPT的设备正在这一斚w获得?jin)SK力士的高度评h(hun)?/p>
据领?x)，SK力士本q?月正在美国拉斯维加斯举行?ldquo;CES 2025”上展C(jin)利用ASMPT讑֤制制的HBM3E 16层物，q一产物被认为是从HBM3E 12层向下一代HBM4Q第六代HBMQ过渡的两头版本Q而韩国业内部门h士指出，客岁ASMPT已有30多台讑֤摆设到SK力士的ZU中?/p>
为提拔HBM产能QSK力士正验考试多元化TCB键合Z应商Qƈ已正在本q两ơ向韩华SemiTech下单Q总金额约?20争K元，?2台TC键合机。而持久ؓ(f)SK力士供货的韩美半导体对此暗C强烈不满，~由是SemiTech是其存正在手艺泄露和专利侉|争议的合作敌手?/p>
取此同时QSEMES的业l无望随之改善。此前因Z星对TCB键合机的订单削减QSEMES一度运营承压?023q_(d)SEMES的发卖额?4450争K元，较前一q_(d)25155争K元）(j)下降2?%Q但同期停业利润?67争K元大q增加至1212争K元，q增q高?1?%。此ơ要得益于其昄器设备营业的大幅增加Q而非从力半导体设备?/p>
跟着HBM??→ 8?→ 12?→ 16层不竭演q，堆叠层数的添加也对TCB键合机提Z(jin)更高要求Q?层HBM产物已问世跨?0q_(d)目前属于老旧产物Q而用于该工艺的新川设备也被认为是相对低规格的讑֤。对讑֤手艺提出更高要求Q三星已新川设备逐渐替代为SEMES讑֤。据阐发Q即便正?层物上Q现实也已{由SEMES从导Q另据?zhn)Q三星目前仍HBM2EQ?层）(j)产物供应l华Z?qing)部门中国GPU厂商?/p>
对于TCB键合一?jng)场而言Q两安国设备厂商虽然有不少看点Q但位于新加坡的ASMPT同样实力不俗?/p>
韩美半导体对此也表示出十脚的自傲。公怼(x)镉K东元正在韩华SemiTech传出取SK力士签定供货合同后Q曾公开暗示Q?ldquo;后发厂商的手有必然水准，但韩华SemiTech最l可能也仅拿到少量订单，成果无疾而终?rdquo;Q?/p>
上述人士q指出：(x)“新川的TCB键合Z׃个电(sh)机驱动两个焊_(d)手艺E度相对较低。对三星来说Q已不再有维?lsquo;双沉供应?rsquo;{略的需要?rdquo;他还弥补道：(x)“从新川胦(ch)报中也未发觉来自三星的发卖数据，q被业内遍及(qing)视做两家公司现实上曾l分手?rdquo;Q?/p>
对于国内而言Q目前已有多家半g讑֤公司正正在全力攻坚高端封拆设备，此中一部门厂商已正在TCB讑֤范畴取得初步冲破?/p>
q也是首个针对HBM4推出TCB键合机的讑֤厂商Q虽然SK力士v头{向多供应商的模式Q但正在高层数堆叠上Q生怕照旧离不开韩美半导体?/p>
目前而言QTCB键合机市(jng)场目前呈“六强Ƒּ”。此中，韩国有韩半g、SEMES、韩华SemiTechQ日本有东丽QTorayQ、新川（ShinkawaQ，新加坡则有ASMPT?/p>
W五名的DIT以激光处理方案见长，2024q营?167争K元，停业利润241争K元，此中Ȁ光退火设备占59%。该公司取SK力士自2019qv头结合开辟HBM用激光退火手艺，q于2023q下半年h式导入HBM3E量U，成ؓ(f)其焦点工Z一?/p>
包罗韩美正在内的讑֤厂商Q恰是韩国能正在HBM讑֤上卡脖子的底气所正在Q不外从持久来看Q韩国若执意出口Q反而会(x)倒逼国内HBM生态链加快成立Q涵盖TCB讑֤、COWOS拆、芯_设惟뀁EDA协划一一整套本土化径?/p>
q日行业传言Uͼ韩国打算HBM讑֤的出口，出格是环节的TCB键合机。据(zhn)，韩国已要求本土次要的TCB键合机制制商Q暂停向特定国度和地域的客户交付讑֤Q同时收紧对相关手艺出口的审Ҏ(gu)E?/p>
TCB的劣势正在于Q热量是通过加热东西头局部到互连点上Q而不是正在回焊炉（倒拆芯片Q中q_。如许能够削减向基板的热量传送，从而降低热应力?CTE 挑和Q实现更强大的互q。对芯片压力以提高粘合质量ƈ实现更好的互q。典型的工艺温度范畴正在 150ºC-300ºC 之间Q压力程度正?10-200MPa 之间?/p>
除了(jin)前文中提到的ASMPT外，同正在新加坡的K&SQ库力烦(ch)?Kulicke & SofQ也插手?jin)这场新的合作之中，其正在半g范畴持久专注于保守封拆体例，如金UK合（Wire BondingQ，但近q来起头鼎力拓展先辈拆手艺?jng)场?/p>
保守上，HBM芯片正在前ƈ不进行最l测试，存正在较大风险。英伟达q期改变{略Q打引入最l查抄流E以提拔产物靠得住性和成本节制Q这也让Techwing的Cube Prober成ؓ(f)独一入选的C代测试设备。当前，该设备已向三星出货，q正正在SK力士进行质量验证，来潜力被遍?qing)看好?/p>
q两家设备厂正在无帮焊剂键合上采用了(jin)分歧的方案，K&S采用化学方式Q甲酸）(j)去除晶圆概况的氧化层Q而ASMPTQ以?qing)其他键合设备厂商?j)则采用物理方式（{离子清z）(j)?/p>
不难看出Q近两年HBM公用的TCB键合机市(jng)场发生了(jin)很是大的变化Q由q去新川和东丽等日系厂商ZD{向以韩美和韩华等韩系厂商Z|考虑到目前HBM?jng)场中SK力士一家独大的环境Q将来TCB键合机市(jng)场的很大E度上就取决于这一家厂商的选择?/p>
值得一提的是，无帮焊剂键合手艺做ؓ(f)TCB的上位替代，最早用于其他半导体封拆场景，但近q来跟着HBM需求激增，逐步成ؓ(f)内存制制范畴的环节立异标的目的，目前有两家新加坡公司正在q一斚w均有所l构?/p>
W四名的Ju搜烦(ch)引擎优化ng Engineering则是一家ALDQ原子层堆积Q设备制制商Q?024q营收ؓ(f)4094争K元，停业利润显著增加250%以上Q此中高?5%Q?464争K元）(j)来自中国?jng)场?/p>
2024q_(d)HBM成ؓ(f)半导体胦(ch)产最炙手可热的物之一。跟着AI大模子和高机能计较的狂飙H进Q英伟达{巨头对HBM的需求水涨船高，内存厂的HBM订单早已售卖一I，特别是SK力士，其正在HBM?jng)场拥有率高?0%Q更是赔得盆满钵满?/p>
值得兛_(j)的是Q不只是TCB键合一cM物，韩国半导体设备厂商正正在藉由HBM的热销(zhn)?zhn)兴v?/p>
公司多年p中国市(jng)场，取多家中资客h立合做。然而，国针对中国半导体胦(ch)产的出口制政策使其面对不确定性。虽然如斯，因ؓ(f)Ju搜烦(ch)引擎优化ng供给的是相对高手艺含量的讑֤Q中国客L(fng)期内难以替代Q其仍具不变的?jng)场份额?/p>
据领?x)，K&S 推出的甲酸法长处是能够正在热压键合的同时去除氧化层，避免焊球概况再次氧化的风险（见下图）(j)。错误谬误是化学制程?x)留下残留物Q如上图化学反映式所C）(j)Q键合后需要额外的清洗坐来良率Q凸块间距越，D留物越隑֮全清z）(j)Q导致机C能下降?/p>
除此之外Q韩半g已v头努力于q一步加强其全球?jng)场从导CQv头将供应U扩大到 SK 力士以外的公司Q据领会(x)Q韩半g客岁׃取到?jin)此上次要利用日本新川的光公司做?f)客户?/p>
因ؓ(f)日本半导体设备自l率高、外部准入门槛高Q因而Oros能打入Kioxia供应链被视ؓ(f)手艺冲破的意呟?/p>
紧随其后的是TechwingQ?023q实现发卖额1855争K元、停业利?34争K元，此中U?5%营收来自光。焦点物ؓ(f)内存?gu)试处置机，公司q期更因其全新HBM试讑֤“Cube Prober”而成Z界核?j)?/p>
虽然部门国内企业正在贴拆、加热、瞄准等子系l已具备手艺储蓄Q但零g集成能力、热压头模块、压力节制系l、高_ֺ机械臂等环节手艺仍有待冲破。特别是“大设备系l整?客户产线验证”环节Q是国讑֤厂商短期面对的最大挑和?/p>
韩国业界人士于本q?月透露QSK力士已从ASMPT订购?jin)TCB键合机，q正正在HBM3E 16层物等多款HBM产物UKq行试?/p>
据TheElec?024q第四时度韩?6家半g讑֤企业的业l阐发，停业利润率最高的六家公司别离是：(x)韩美半导体、Techwing、Zeus、Ju搜烦(ch)引擎优化ng Engineering、DIT取Oros Technologyq六Z有四家聚焦于后处|设备，深受HBM取先辈封拆高潮带动?/p>
而SK力士正在前两代HBM上也利用qTC-NCF手艺Q最l正在HBM2E上切换到?jin)MR-MUF手艺Q这一手艺正在每次堆叠DRAMӞ?x)先通过加热q行姑且毗连Q最l正在堆叠完成后q行回流焊以完成键合Q随后填充环氧模塑料QEMCQ，使其q_渗入到芯片间隙，起到支持和防污染的感化?/p>
半导体业内h士指出：(x)“最具争议的是，韩华SemiTech的TC键合Zh(hun)p定正在高于韩半g原有讑֤的程度。对于一曲取SK力士连l慎密联盟关pȝ韩美半导体而言Q这是难以接的?rdquo;因而，韩美半导体采U了(jin)报仇性办法，此前对SK力士供l的客户办事QCSQ从免费转ؓ(f)收费Qƈ通知其将讑֤供货价钱上调28%?/p>
此外QZeus正正在结合美国Pulseforge开辟基于光子手艺的剥离讑֤Qƈ于Semicon Korea展会(x)上首度公开C代TBDB讑֤Q展现其持箋立异能力?/p>
q种现象UCؓ(f)焊料桥接Q会(x)D盔R焊盘之间呈现不需要的甉|q，q可能Ş成短Q从而导致芯片呈现缺陗这是TCBQ热压键合）(j)工艺阐扬感化的处所Q由于它能够处理间距~小到某个点以下时倒拆芯片工艺呈现的问题?/p>
价钱差别源于两家公司正在手艺径上的分歧。美光采用的TC-NCF工艺比拟SK力士所采用的MR-MUF工艺有所分歧Q其讑֤头部布局更复杂，因而单台设备的价钱也更高?/p>
q前而言QMR-MUF相较于TC-NCF具备更多长处Q据 SK 力士称Q取 NCF 比拟QMR-MUF 的热导率大约?NCF 的两倍，对工艺速度和量有显著影响?/p>
据报道，韩美半导体正??4日颁布发表，推出用于HBM4Z的公用设?ldquo;TC Bonder 4”Q这是一N对HBM4特征大幅提拔?jin)精度取Z效率的高键合讑֤。韩半g味长暗示Q?ldquo;新推出的‘TC Bonder 4’是专为HBM4开辟的讑֤Q即便正在要求极高精度的16层以上堆叠工ZQ也能实现超效率和高质量?rdquo;?/p>
按发卖和订单布局来看QSEMES的半g讑֤发卖额从2022q的15515争K元降?023q的12599争K元，削减18?9%Q而显C备发卖额则从136争K元暴增至1507争K元，增加?000%。此前一度考虑撤出的显C业，正在获得三星昄的大额订单后Q填补了(jin)半导体设备订单的I白。若SEMES成ؓ(f)三星TCB键合机的独家供应商，其半g讑֤营收占比无望再次上升?/p>
一位半g行业相关人士透露Q?ldquo;三星?sh)子已不再利用新川设备。过M星正在HBM堆叠的最后阶D?mdash;—4层工Z利用新川的TCB键合机，但目前连q一部门也逐步由SEMES全权担Q?rdquo;Q?/p>
目前Q三星和光正在HBM制制的后端工艺环节均采用?ldquo;TC-NCFQ非导电(sh)胶膜Q?rdquo;手艺。这一工艺是正在各层DRAM之间嵌入NCFQƈ通过TCB工艺从上至下热压QNCF正在高温下融化，起到毗连凸点q固定芯片的感化?/p>
而据韩国业内最新动?rn)，韩美半导体正在本q?月从光获得?jin)?0台TCB键合机的订单。这是客岁向美光供应数十台TCB键合Z后，本年再次获得的大规模逃加订单。据(zhn)，光为避免其产能消息外泄Q将此次合同金额分拆为无需公开披露的小额订单别M单，且供应给光的TCB键合Zh(hun)钱比SK力士采办的同类讑֤出跨越30%~40%?/p>
跟着互连密度的添加和间距~小?50µm 以下Q倒拆芯片工艺面对一些挑和。因为整个芯片封拆都攑օ烤箱中，芯片和基板会(x)因热量而以分歧的速度膨羃Q即分歧的热膨羃pLQCTEQ，从而发生变形，D互连呈现毛病。然后，熔融焊料?x)扩散到其指定区域之外?/p>
虽然?jng)场遍?qing)估计韩美半导体的领先C臛_能维持三q_(d)但韩华SemiTech若何搅动?jng)场Ƒּ成?f)?jin)核心(j)?/p>
一位熟(zhn)SK力士的知恋人士暗示Q?ldquo;正在HBM3E 16层的工艺模仿q程中，发觉跟着堆叠层数dQASMPT讑֤的机能跨韩半g讑֤?rdquo;他I补说Q?ldquo;CES 2025上公开的HBM3E 16层物采用ASMPT讑֤Q这一现实明显取其讑֤表示优异亲近相关?rdquo;Q?/p>
据领?x)，此前三星电(sh)子一曲从其半g讑֤子公司SEMES和日本新川采购用于NCF工艺的TCB键合机，虽然三星取新川之间一曲连l着慎密合做Q但比来其供应布局曄转向以SEMES为核?j)的Ƒּ?/p>
六家韩国半导体设备企业中Q除Ju搜烦(ch)引擎优化ng Engineering外，均取HBM后处|及(qing)先辈拆慎密相关Q正在韩半g之外QTechwing、Zeus{企业凭仗独门物和工艺快速突_(d)q也昄Z(jin)韩国讑֤财由单一向多元Ƒּ改变的趋向?/p>
SK力士方面则回应Uͼ讑֤价钱是按照取供应商的协商军_的，q无赐与韩华Semitec“无来由溢?rdquo;的环境。一位熟(zhn)SK力士的业内人士暗示Q?ldquo;TCB键合机的合同按照SK力士所需的附加选项而有所分歧Q因而每家供应商的合同条目天然也有所区别?rdquo;Q?/p>
先来领会(x)一下目前HBM芯片的键合手艺。正在保守的倒拆芯片键合中，芯片?ldquo;{”Q以便其焊料凸块Q也UCؓ(f) C4 凸块Q取半导体基板上的接合焊盘对齐。整个组件被攄正在回流炉中Qƈ按照焊料材料q_加热?200ºC-250ºC 摆布。焊料凸块熔化，正在接合和基板之间构成电(sh)气互q?/p>
做ؓ(f)排名W一的企业，韩美半导?024q发卖额?589争K元，停业利润高达2554争K元，q利润增加六倍，停业利润率达46%。该公司持久以来向SK力士独家供应HBM用TC键合机，建立起强势的手艺壁垒?/p>
下一：(x)南昌工学?025q招生章E?/a>
